SJT 10557.2-1994 高压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法
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ID： |
00426F8D3B9D4736ACC934623DE24316 |
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文件大小(MB)： |
0.31 |
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4 |
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日期： |
2024-7-27 |
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L 90,中华人民共和电子行业标准,SJ/T 10557.2—94,高压电解电容器用铝箔晶粒织构,)yi ga jF\ イン、」ー ノ ノ /4A,Mathod for texture measurement,of aluminium foil for high voltage electroytic capacitor,1994-08-08 发布1994-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部 发 布,中华人民共和国电子行业标准,高压电解电容器用铝箔的织构,测量方法,SJ/T 10557- 2-94,Mathod for texture measurement,of aluminium foil for high voltage electroyti^ capacitor,1 主题内容与适用范,本标准规定了高压电解电容器用铝箔的织构测量方法,本标准适用于高压电解电容器用铝箔,2术语,2. 1 织构 Texture,多晶材料中晶粒出现的择优取向称之为织构,2丒 2 反极图 inverse pole figure,晶体中某一宏观座标在各结晶方向上投影分布密度表示试样择优取向情况的方法,2.3 晶面指数 miller indices,晶面在基矢上的截距的倒数比简约为互质整数比,所得的互质整数即为晶面指数,又称密,勒指数,用｛hkl｝表示,3原理,晶粒择优取向测定是根据X射线衍射反极图法,测量试样的衍射全谱,量出｛hkD峰的积,分强度,并在相同狭缝系统下,测量铝粉(无序试样)各衍射峰的积分强度,求出二试样对应衍,射峰强度比,经计算可得出｛hkl｝晶面在试样表面的占有情况,｛hkl｝晶体在表面占有率按式(1)计算:,然H,—￡上 hkl，C^(hkl)^R
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